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欧加真 无上限内核温度墙
云端授权为“无限制”时，自定义内核温度墙不设固定软件封顶。它不是把页面数字改高，而是由 Root 守护进程直接接管 Gauge、virtual gauge、USB、MOS 与充电 PMIC 等内核温度数据链路。
真实温度达到自定义阈值后独立断充，降低 5℃ 自动恢复；这套内核闭环不依赖 /proc/shell-temp。
以上为真实设备功能验证记录，不代表建议的日常工作温度。解除或提高温控限制会放大电池、硬件与人身财产风险，请确保散热和设备状态可控。
当前版本重点
当前最新版本：v14.7内核电池温度伪装
扩展上层 Gauge、底层虚拟 Gauge、USB、BTB、MOS 与充电 PMIC 温度来源，并加强退出恢复。
充电温度墙适配
统一协调普通电池伪装、动态伪装与内核温度墙，减少多层温度来源互相冲突。
系统温控配置覆盖
加强 GPU、DDR 与不同厂商热控配置的识别、挂载和回退处理。
完整功能
包含温度伪装、内核充电接管、断充策略、充电统计、系统热控控制与配套应用。
多源伪装配置
- CPU、GPU、内存、电池和其他温度源可分别启停。
- 支持固定值、动态区间，以及充电开始、最高、截止温度和持续时间。
- 支持电池循环次数与系统电量显示伪装。
- 提供应用白名单、黑名单及仅充电时启用等控制方式。
温度链路与温度墙
- 统一控制电池上层、底层、USB、MOS 和充电 PMIC 五项内核温度伪装。
- 覆盖 gauge_dbg_tbat、virtual_ic、usb-therm、BTB 等常见来源。
- 可设置真实电池断充阈值，达到阈值断充，降低 5℃ 后恢复。
- 关闭功能或进程退出时，主动恢复模块接管的内核输出。
断电与状态控制
- 支持欧加真充电温度墙、全局旁路和充电时停用电池伪装。
- 一加设备可配置自动伪装插拔、智能协议、截止电量与插拔间隔。
- 支持断电期间伪装充电状态，减少第三方充电记录被分段。
- 可按自定义电量或时间范围停止充电。
实时数据与历史记录
- 显示状态、电量、电池与充电器功率、真实/伪装温度、电压、循环和容量。
- 统计充电时段、持续时间、充入电量与能量。
- 记录功率或电流、电量及温度曲线；充满后停止继续记录功率曲线。
- 支持单/双电芯配置、历史记录、删除和完整长图导出。
厂商策略控制
- 修改 GPU、DDR 系统温度墙并挂载覆盖系统热控配置。
- 支持全局禁用 Horae，或按应用配置 Horae 白名单与黑名单。
- 包含 ColorOS 墓碑策略、移除超级省电与停用 HW 叠加层。
- 一加设备可配置触控采样率；具体档位以设备实际支持为准。
快捷磁贴与真实温度
- 通过控制中心快捷磁贴切换总开关，并与应用状态双向同步。
- 充电时可显示原生实时通知或流体云，包含功率、电量与真实电池温度。
- 桌面入口可自行显示或隐藏，配套应用支持 Root 状态与更新检查。
- LSPosed 可将 AaTempSpoof 的真实电池温度提供给 Scene 与充电岛。
附加功能
提供充电温度墙、热控策略、断电控制、厂商适配、后台管理与界面维护等扩展能力。
充电与断电
温度墙OnePlus
可在 41–53℃ 范围设置欧加真充电电池温度墙，通过挂载与节点接管提高系统阈值。
内核伪装温度墙OnePlus
统一启用电池上层、底层、USB、MOS 与充电 PMIC 伪装，并按真实电池温度断充，降低 5℃ 后恢复。
欧加真全局旁路OnePlus
通过阻止电流与充电状态等节点输出实现约 0mA 的全局旁路；与伪装插拔同时启用时，插拔功能会失效。
充电时禁用电池伪装OnePlus
接入充电器后暂停电池温度伪装，使 /proc/shell-temp 保持原有充电判断逻辑，断开后恢复日常伪装。
充电模式
仅在充电期间自动开启伪装，日常使用保持关闭；由模块自动管理总开关，不能与应用伪装白名单并用。
一加自动伪装插拔OnePlus
提供关闭、强制和智能协议模式，可设置截止电量、30–3600 秒间隔，并在断电窗口伪装充电状态以保护记录连续性。
自定义断电OnePlus
可按目标电量停止充电，也可设置 24 小时制的开始与截止时间范围，两种规则由独立开关控制。
系统热控与性能
热控配置覆盖
修改并挂载系统 thermal XML 配置；配置页还可将识别到的 GPU、DDR 系统温度墙提高至 120℃。不能与其他去温控、温度伪装类模块混用。
移除超级省电OnePlus
电量低于 3% 时向系统显示为 3%，避免自动进入超级省电；该功能不能与电量伪装同时开启。
欧加真墓碑配置OnePlus
调用 ColorOS 墓碑相关系统策略和 cgroup 配置，控制后台进程状态以优化待机续航。
Horae 全局与应用规则OnePlus
可全局禁用系统 Horae，也可按包名使用白名单或黑名单，只对指定应用放行或限制 Horae。
停用 HW 叠加层
通过系统图形接口停用 HW 叠加层，让画面直接由 GPU 合成；理论上可改善触摸跟手性，但会增加图形负载。
一加全局触控采样率OnePlus
提供默认、125、240/241、360/361/362 与 600 档位；相同标称频率的不同值用于适配不同节点实现。
运行与界面
模块启动通知
模块守护进程启动完成后发送系统通知，用于确认开机服务和伪装挂载已经运行。
WebUI 外观与维护
支持跟随系统、液态玻璃、触感反馈、弹出或平移切页、玻璃模糊、纯色或图片背景、兼容模式及恢复默认配置。
配套应用与流体云
提供控制中心快捷磁贴、桌面入口显隐、充电原生实时通知与流体云；单双电设置与 WebUI 充电统计共用。
使用前必须知道
温度伪装只会改变系统读取值，不会降低设备真实温度。修改内核温度和热控策略前，请先确认设备散热与电池状态。
环境与兼容性
需要 Root。配套快捷应用支持 Magisk、KernelSU 与 APatch 环境，并要求 Android 8.0 或更高版本。实际节点和效果会随机型、内核及系统版本变化。
内核温度风险
内核伪装可能使系统读取到虚假的正常温度，削弱原有限流、降功率或断充保护。高温使用可能造成电池、设备及人身财产风险。
去温控与伪装模块冲突
不要同时启用其他去温控或温度伪装类模块。重复挂载热控 XML、修改 Horae 或写入温度节点会互相覆盖，可能造成配置失效、温控异常或系统重启。